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单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移
陆埮; 蒋家禹; 龚大为; 孙恒慧
1994
发表期刊物理学报
期号2页码:8
摘要提出了用单频导纳谱法测量储硅单量子阶的能带偏移,与常规的多频导纳谱相比,它只需测一个频率的导纳谱就能得到更精确的实验结果。用该方法对Si/Ge_(0.33)Si_(0.67)/Si单量子阱进行测试,得到激活能为E=0.20eV。为了计算出能带偏移值,必须能准确确定具有单量子阱结构样品中的费密能级位置,由于在单量子阱结构中费密能级的位置与阱材料、垒材料的掺杂浓度、阱的高度(即能带偏移)及温度等几个因素均有关。为此,本文通过解泊松方程,计算出结合本文样品参数的具体单量子阶能带图及费密能级位置。计算结果表明,费密能级位于阱材料的禁带之内,E_F-E_(V1)=0.04eV.由于单量子阱两边的载流子向...
关键词量子阱结构 费密能 单频 泊松方程 子阶 载流子浓度 激活能 阱宽 价带 理论模拟
文献类型期刊论文
条目标识符http://libir.pmo.ac.cn/handle/332002/17107
专题院士文集_陆埮
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GB/T 7714
陆埮,蒋家禹,龚大为,等. 单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移[J]. 物理学报,1994(2):8.
APA 陆埮,蒋家禹,龚大为,&孙恒慧.(1994).单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移.物理学报(2),8.
MLA 陆埮,et al."单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移".物理学报 .2(1994):8.
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